Projeto reforça aposta na inteligência artificial e recebe forte apoio financeiro do governo japonês
A Micron Technology ($MU) vai investir cerca de 9,6 mil milhões de dólares na construção de uma nova fábrica dedicada à produção de memória HBM (High Bandwidth Memory) em Hiroshima, reforçando a sua posição no segmento mais crítico para aplicações de inteligência artificial.
A construção está prevista para arrancar em 2026, com início das entregas em 2028, num momento em que a procura global por HBM dispara devido ao crescimento explosivo dos aceleradores de IA, como os utilizados pela Nvidia, AMD e outros fabricantes.
O governo japonês comprometeu-se a financiar até 500 mil milhões de ienes (aprox. 3,3 mil milhões de dólares) do investimento total, parte de uma estratégia nacional para:
fortalecer a cadeia de abastecimento japonesa de semicondutores
garantir acesso soberano a componentes essenciais de IA
reduzir a dependência de fornecedores estrangeiros
reposicionar o Japão como um eixo tecnológico global
O país tem acelerado subsídios a projetos de semicondutores, incluindo Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC), Rapidus e agora a Micron.
Competição direta com a SK Hynix:
A iniciativa surge numa altura em que a SK Hynix domina o mercado de HBM, fornecendo a maior parte das memórias de alta densidade utilizadas nos aceleradores da Nvidia, especialmente nos chips H100, H200 e Blackwell.
Com esta nova fábrica, a Micron procura:
reduzir a distância tecnológica para a SK Hynix
aumentar a sua capacidade de produção de HBM3E e gerações futuras
estabelecer o Japão como centro estratégico de produção avançada
A Micron já foi a primeira empresa a anunciar HBM3E em volume, um tipo de memória fundamental para acelerar modelos generativos e operações de IA.
O anúncio junta-se a uma onda global de investimentos massivos em semicondutores, impulsionados pela corrida à inteligência artificial e por tensões geopolíticas que levam os países a proteger a sua produção tecnológica.